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  • 江蘇微導納米裝備科技有限公司

    / 產品技術 / 半導體

    半導體

    微導ALD和PEALD技術,用于下一代微納電子器件制造


    對微處理器和存儲器的計算速度和功率需求的持續增加, 同時又降低其功耗和尺寸,使得半導體器件制造經受著越來越大的挑戰。特別是在“后摩爾定律”時代, 納米級器件結構需要薄膜的沉積和去除精確控制在原子層級別。原子層沉積(ALD)技術已經衍變成為下一代新型器件制造戰略中的關鍵技術,并使摩爾定律得以進一步延伸。

    微導的原子層沉積(ALD)、等離子體原子層沉積(PEALD)技術是原子級薄膜沉積解決方案的關鍵技術,可廣泛用于晶體管、存儲器、圖案化、金屬互連和3D封裝等應用。自有專利設計的反應器確保包括450mm在內的多種尺寸晶圓上的薄膜沉積達到極限保型性得均勻度。微導的龍系列團簇平臺由多各工藝腔與市場先進的商業晶圓自動化系統集群而成, 為尖端半導體制造提供原子級薄膜沉積工藝完整的解決方案。
     





    龍系列高級ALD薄膜系統

    微導龍系列高級ALD薄膜沉積系統專用于200、300和450mm晶圓工藝的單片量產ALD鍍膜設備。具有熱ALD、等離子體ALD和原子層蝕刻等多種型號,與主流商業自動化團簇平臺集群。自有專利設計的反應器可以沉積多種材料,并確保極限保形和均勻的ALD薄膜沉積。產品具有高度薄膜均勻度、高產能、高可靠性以及高性價比等特點。

    可制備工藝:
    氧化物:SiO2 , Al2O3 , HfO2 , ZrO2 , Ta2O5 , Nb2O5 , TiO2 , ZnO , SrTiO3
    氮化物:TiN , Ta2N5 , AlN , WN , SiNx*
    碳化物:TiC , WC , TaC , TaNC
    單金屬:Ru , Pt , Au , Cu , W , Ta* , Co* , Ni*
    * PEALD
    溫度范圍:室溫-500oC
    晶圓尺寸:200、300和450mm




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